测量继电器好坏

测量场效应管好坏,首先观察场效应管的外观是否完好,如果存在烧焦或针脚断裂等说明已经发生损坏.对场效应管的引脚进行清洁,然后用小镊子对场效应管进行放电,避免残留电荷对检测产生影响. 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型:结型场效应管(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导

用万能表测量电机好坏:断电,把电机的接线头裸露出来,最好是拆掉电机的电源线,避免干扰,准备测量.将万用表调到欧姆Ω档,红黑表笔轻轻碰一下,万用表归零.红黑表笔分别接触电机的两个接线头,看万用表上的阻值,数字万用表导通,指针式万用表有阻值,说明电机绕组导通,没有阻值,说明电机坏了.测电机绝缘性能,万用表调到兆欧档,红表笔与电机接线头接触好,黑表笔与电机外壳金属部分接触,看万用表读数,一般电机大于2兆欧,绝缘没有问题.

判断继电器好坏的方法:给继电器接上线圈额定电流,如果能吸合说明基本上是好的.继电器是一种电控制器件,是当输入量(激励量)的变化达到规定要求时,在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器.

测量热敏电阻好坏的方法如下: 1.测量常温时的电阻值,将万用表置于合适的欧姆挡,使用两只表笔分别接触热敏电阻的两个引脚测出实际阻值,并与标称阻值相比较,如果二者相差过大,则说明所测热敏电阻性能不良或已损坏. 2.测量温度变化时的电阻值.在常温测试正常的基础上,即可进行升温或降温检测. 3.用手捏住热敏电阻测电阻值,观察万用表示数,此时会看到显示的数据随温度的升高而变化,表明电阻值在逐渐变化. 4.当阻值改变到一定数值时,显示数据会逐渐稳定.测量时若环境温度接近体温,则可使用电烙铁靠近或紧贴热敏电

万用表检测内存好坏方法,主板到内存的数据引脚一般为了保护内存的数据脚,在每个数据脚都加有一个阻值不大的电阻,起限流作用,阻值一般在10欧左右. 测试的原理是检测内存芯片的每个数据脚,地址脚,时钟脚是否有短路.断路不良等现象用万用表的二极管挡,红表笔接地,黑表笔测量各排阻的阻值,也就是内存芯片的数据脚的阻值,一般每个脚的阻值相差不大,要是相差很大,肯定芯片有问题,在仔细检测是哪个芯片的问题更换后一般就好了,用此种方法也可以检测内存芯片的好坏.

可用数字万用表测试电容好坏,步骤如下: 1.判断极性,先把万用表调到100或1K欧姆档,假定一极为正极,让黑表笔与它连接,红表笔与另一极连接,记下阻值,然后把电容放电,即让两极接触,然后换表笔测电阻,阻值大的一次黑表笔连接的就是电容的正极: 2.把万用表调到欧姆档适当档位,档位选择的原则是:1微法的电容用20K档,1至100微法电容用2K档,大于100微法的用200档: 3.然后用万用表的红笔接电容的正极,黑笔接电容的负极,如果显示从0慢慢增加,最后显示溢出符号1则电容正常,如果始终显示为0,则

方法如下: 1.用万用表欧姆档来测量线圈,看线圈是否短路,如果短路证明线圈坏. 2.用万用表欧姆档来测量常闭辅助触点是否通路. 3.用手按主触头观察接触器机构是否卡. 4.给接触器线圈通电观察接触器是否吸合. 5.接触器吸合后用万用表检查常开辅助触点是否通路.

用数字万用表测量电容: 1.将电容两端短接,对电容进行放电,确保数字万用表的安全. 2.将功能旋转开关打至电容测量档,并选择合适的量程. 3.将电容插入万用表插孔. 4.读出显示屏上数字. 一般测量可以用以下方法: 用指针表的欧姆档测量,电容容量越小则用越高的档,用表笔接触电容的两个引脚,观察指针的摆动,如指针摆动过中心刻度后即往回摆动直至无穷大,过数秒至数分钟后再次测试,如果指针摆动幅度没有第一次的幅度大或只有很少的摆动则可认为电容是好的,如果手头上只有数字表,容量大点的电容可以观察数字由大变

1.判断极性,先把万用表调到100或1K欧姆档,假定一极为正极,让黑表笔与之连接,红表笔与另一极连接,记下阻值,然后把电容放电,即让两极接触,然后换表笔测电阻,阻值大的一次黑表笔连接的就是电容的正极: 2.把万用表调到欧姆档适当档位,档位选择的原则是1μF的电容用20K档,1至100μF电容用2K档,大于100μF的用200档: 3.然后用万用表的红笔接电容的正极,黑笔接电容的负极,如果显示从0慢慢增加,最后显示溢出符号1则电容正常,如果始终显示为0,则电容内部短路,如果始终显示1, 则电容内部