在二极管中有几个PN结

在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.PN结有同质结和异质结两种.用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.制造PN结的方法有合金法.扩散法.离子注入法和外延生长法等.制造异质结通常采用外延生长法. 主要应用:根据PN结的材料.掺杂分布. 几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整

pn结中的载流子是承载电子的东西.采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结.PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管.双极性晶体管的物质基础.

电路中pn结是采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结. PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管.双极性晶体管的物质基础.PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面.

PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多. 二极管,三极管反向的时候,PN结两边的N区和P区仍然是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极.从而构成PN结的电容效应.为了减小这个电容,会减小PN结面积或增加PN结厚度,并且一般用势垒电容,扩散电容来等效.

1.正向导通,反向截止,当正向电压达到一定值时左右时,电流随电压成指数变化.与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的.2.有两种载流子,即电子和空穴.3.受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度.PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面.在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体.

当PN结加上正向电压时,P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象,导致阻挡层变薄,正向电流随电压的增长按指数规律增长,宏观上呈现导通状态,而加上反向电压时,情况与前述正好相反,阻挡层变厚,电流几乎完全为零,宏观上呈现截止状态.这就是PN结的单向导电特性.

PN结的内建电场是指: 半导体的P区和N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,由于该电场存在于结合的半导体中,所以称为内建电场.

不全是,电感电容不是用pn结做的,金属间电容精度比较高,一般在数百fF到数十pF,内部结构不是pn结,MOS管的栅电容电容大但精度差,一般芯片内部空余的地方都会填满MOS电容用于电源退耦,但与片外退耦电容相比还是小的可怜. diode和BJT是用PN结做的:MOS管通过形成反型层导电,不过MOS管与硅衬底之间的隔离使用反偏PN结实现的.

1.正向导通,反向截止.当正向电压达到一定值左右,电流随电压成指数变化.与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的. 2.有两种载流子,即电子和空穴. 3.受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度,因此设计或者运用时需要考虑温度问题.