PN结的基本特点

pn结中的载流子是承载电子的东西.采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结.PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管.双极性晶体管的物质基础.

电路中pn结是采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结. PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管.双极性晶体管的物质基础.PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面.

在二极管中有1个PN结.是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的.采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在交界面就形成空间电荷区称为PN结. 二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管. 晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡

PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多. 二极管,三极管反向的时候,PN结两边的N区和P区仍然是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极.从而构成PN结的电容效应.为了减小这个电容,会减小PN结面积或增加PN结厚度,并且一般用势垒电容,扩散电容来等效.

在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.PN结有同质结和异质结两种.用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.制造PN结的方法有合金法.扩散法.离子注入法和外延生长法等.制造异质结通常采用外延生长法. 主要应用:根据PN结的材料.掺杂分布. 几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整

当PN结加上正向电压时,P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象,导致阻挡层变薄,正向电流随电压的增长按指数规律增长,宏观上呈现导通状态,而加上反向电压时,情况与前述正好相反,阻挡层变厚,电流几乎完全为零,宏观上呈现截止状态.这就是PN结的单向导电特性.

PN结的内建电场是指: 半导体的P区和N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,由于该电场存在于结合的半导体中,所以称为内建电场.

不全是,电感电容不是用pn结做的,金属间电容精度比较高,一般在数百fF到数十pF,内部结构不是pn结,MOS管的栅电容电容大但精度差,一般芯片内部空余的地方都会填满MOS电容用于电源退耦,但与片外退耦电容相比还是小的可怜. diode和BJT是用PN结做的:MOS管通过形成反型层导电,不过MOS管与硅衬底之间的隔离使用反偏PN结实现的.

1.正向导通,反向截止.当正向电压达到一定值左右,电流随电压成指数变化.与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的. 2.有两种载流子,即电子和空穴. 3.受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度,因此设计或者运用时需要考虑温度问题.