什么是伏安特性曲线

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流.横坐标表示电压,以此画出的图像叫做导体的伏安特性曲线图.这种图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一.二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线.反向特性:电压小于零的部分称为反向特性.当反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,称之反向击穿.

光照射在光电管的光阴极上能够激发出能量不同的电子.阳极电压低时,只有能量高的电子能够到达阳极,升高阳极电压使低能量的电子也能到达阳极.故曲线低端,阳极电压越高,光电管的输出电流越大. 根据爱因斯坦光量子假说,一个光子的能量只能传给一个电子.当光照强度一定时,光子的总数是一定的,所能激发的电子总数是一定的:当阳极电压升高到一定值后,所被激发出的电子都到达阳极,再升高阳极电压也不会有更多的光电子到达阳极.阳极电压到达一定值后,电流达到饱和.此时若要增加光电流,只能增加光通量.

当电流互感器一次加入一个电流,在互感器的二次负载两端得到一个电压降.在平面坐标上把各个点连接起来,可以得到一条近似于磁化曲线的伏安特性曲线.通过电流互感器的伏安特性主要参考互感器的过载性能.

稳压二极管一般工作在反向击穿区. 稳压二极管,是指利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管. 稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多,反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时,反向电阻很大,反向漏电流极小.但是,当反向电压临近反向电压的临界值时,反向电流骤然增大,称为击穿,在这一临界击穿点上,反向电阻骤然降至很小值.尽管电流在很大的范围内变化,而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近,从而实现了二极管的稳压功能.

1.参数:CT---势垒电容.Cj---结()电容:表示在二极管两端加规定偏压下检波二极管电容.Cjv---偏压结电容.Co---零偏压. 2.电容用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数.不同类型的二极管有不同的特性参数.伏安特性:二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线,二极管的伏安特性曲线 3.二极管的伏安特性曲线.在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小:当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压:当电压达到约0.7V时,二极管

二极管的伏安特性是正向特性.二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性,它表示外加正向电压时二极管的工作情况.在正向特性的起始部分,由于正向电压很小,外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用,正向电流几乎为零,这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线. 死区,对应的电压称为死区电压.硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.2V.当正向电压超过某一数值后,内电场就被大大削弱,正向电流迅速增大,二极管导通,这一区域称为正向导通区.二极管一旦正向导通后,只要正向电压稍有变化,就会使正向电流变

1.当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光. 2.不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同.当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短. 3.常用的是发红光.绿光或黄光的二极管.发光二极管的反向击穿电压大于5伏.它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流.

压二极管一般工作在反向击穿区. 稳压二极管,是指利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管. 稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多,反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时,反向电阻很大,反向漏电流极小.但是,当反向电压临近反向电压的临界值时,反向电流骤然增大,称为击穿,在这一临界击穿点上,反向电阻骤然降至很小值.尽管电流在很大的范围内变化,而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近,从而实现了二极管的稳压功能.

反比.根据欧姆定律,在同一电路中,通过某段导体的电流跟这段导体两端的电压成正比,跟这段导体的电阻成反比.电阻是物质本身的属性,与长度.横截面积.材料和温度有关,与电流与电压无关. 欧姆定律公式 标准式:I=U/R,U=IR,R=U/I I表示电流,单位是安培(A):U表示电压,单位是伏特(V):R表示电阻,单位是欧姆(Ω). 部分电路公式:I=U/R或I=P/U 全电路公式:I=E/(R+r) 伏安曲线 欧姆定律成立时,以导体两端电压为横坐标,导体中的电流I为纵坐标,所做出的曲线,称为伏安特性曲